N-channel FinFETs with 25-nm gate length and Schottky-Barrier source and drain featuring Ytterbium silicide

N-channel FinFETs with 25-nm gate length and Schottky-Barrier source and drain featuring Ytterbium silicide

10.1109/LED.2006.889233

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Lee, R.T.P., Lim, A.E.-J., Tan, K.-M., Liow, T.-Y., Lo, G.-Q., Samudra, G.S., Chi, D.Z., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	FinFET Multiple-gate transistor Rare earth metal Schottky Silicide YbSi
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82747
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Sulfur-induced PtSi:C/Si:C Schottky barrier height lowering for realizing N-channel FinFETs with reduced external resistance
بواسطة: Lee, R.T.-P., وآخرون
منشور في: (2014)

P-channel tri-gate FinFETs featuring Ni1-yPtySiGe source/drain contacts for enhanced drive current performance
بواسطة: Lee, R.T.-P., وآخرون
منشور في: (2014)

Achieving conduction band-edge Schottky barrier height for arsenic-segregated nickel aluminide disilicide and implementation in FinFETs with ultra-narrow fin widths
بواسطة: Lee, R.T.-P., وآخرون
منشور في: (2014)

Platinum germanosilicide as source/drain contacts in P-channel fin field-effect transistors (FinFETs)
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)

The role of carbon and dysprosium in Ni[Dy]Si:C contacts for schottky-barrier height reduction and application in N-channel MOSFETs with Si:C source/drain stressors
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Contact-resistance reduction for strained n-FinFETs with silicon-carbon source/drain and platinum-based silicide contacts featuring tellurium implantation and segregation
بواسطة: Koh, S.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Nickel-silicide contact technology with dual near-band-edge barrier heights and integration in CMOS FinFETs with single mask
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Contact technology for strained nFinFETs with silicon-carbon source/drain stressors featuring sulfur implant and segregation
بواسطة: Koh, S.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Advanced source and drain contact engineering for multiple- gate transistors
بواسطة: LEE TEK PO RINUS
منشور في: (2010)

Schottky Barrier Engineering for Contacts in Advanced CMOS Technology
بواسطة: PHYLLIS LIM SHI YA
منشور في: (2012)

Schottky barrier height modulation of nickeldysprosium-alloy germanosilicide contacts for strained P-FinFETs
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Drive-current enhancement in FinFETs using gate-induced stress
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Analysis of the effects of fringing electric field on finFET device performance and structural optimization using 3-D simulation
بواسطة: Zhao, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Simulation of multiple gate FinFET device gate capacitance and performance with gate length and pitch scaling
بواسطة: Zhao, H., وآخرون
منشور في: (2014)

A FinFET and Tri-gate MOSFET's channel structure patterning and its influence on the device performance
بواسطة: Jagar, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Phase change liner stressor for strain engineering of P-channel FinFETs
بواسطة: Ding, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Spacer removal technique for boosting strain in n-channel FinFETs with silicon-carbon source and drain stressors
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Nickel-silicide: Carbon contact technology for N-channel MOSFETs with silicon-carbon source/drain
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)

Contact resistance reduction technology using aluminum implant and segregation for strained p-FinFETs with silicongermanium source/drain
بواسطة: Sinha, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained p-channel FinFETs with extended Π-shaped silicon-germanium source and drain stressors
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

N-Channel (110)-sidewall strained FinFETs with silicon-carbon source and drain stressors and tensile capping layer
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Random telegraph signal noise in gate-all-around Si-FinFET with ultranarrow body
بواسطة: Lim, Y.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained n-channel FinFETs featuring in situ doped silicon-carbon (Si1-yCy) source and drain stressors with high carbon content
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Sub-30nm strained p-channel fin-type field-effect transistors with condensed SiGe source/drain stressors
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

SOURCE AND DRAIN EXTERNAL RESISTANCE REDUCTION FOR ADVANCED TRANSISTORS
بواسطة: KOH SHAO MING
منشور في: (2012)

Schottky barrier engineering for contact resistance reduction in nanoscale CMOS transistors
بواسطة: MANTAVYA SINHA
منشور في: (2010)

Sub-30 nm FinFETs with schottky-barrier source/drain featuring complementary metal silicides and fully-silicided gate for P-FinFETs
بواسطة: Lee, R.T.P., وآخرون
منشور في: (2014)

THE FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF FINFET
بواسطة: NARAYANAN T V
منشور في: (2019)

Novel extended-Pi shaped silicon - germanium source/drain stressors for strain and performance enhancement in p-channel tri-gate fin-type field-effect transistor
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

TCAD MODELLING AND CHARACTERIZATION OF DEFECTS IN ADVANCED NANOSCALE SEMICONDUCTOR DEVICES
بواسطة: TEO CHEA WEI
منشور في: (2019)

Fabrication, characterization, and modeling of silicon multi-gate devices
بواسطة: ZHAO HUI
منشور في: (2010)

Design, simulation and fabrication of ultra thin fin for double gate MOSFETS
بواسطة: AGRAWAL NAVEEN
منشور في: (2010)

Drivability improvement in Schottky barrier source/drain MOSFETs with strained-Si channel by Schottky barrier height reduction
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Fabrication of poly-Si TFT with silicided Schottky barrier source/drain, high-κ gate dielectric and metal gate
بواسطة: Zhu, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Germanium source and drain stressors for ultrathin-body and nanowire field-effect transistors
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Strain engineering for advanced transistor structure
بواسطة: TAN KIAN MING
منشور في: (2010)

Metrology solutions for high performance germanium multi-gate field-effect transistors using optical scatterometry
بواسطة: Chin, H.-C., وآخرون
منشور في: (2014)

Germanium multiple-gate field-effect transistors formed on germanium-on-insulator substrate
بواسطة: Liu, B., وآخرون
منشور في: (2014)

Ultra high-stress liner comprising diamond-like carbon for performance enhancement of p-channel multiple-gate transistors
بواسطة: Tan, K.-M., وآخرون
منشور في: (2014)

Metrology solutions using optical scatterometry for advanced CMOS: III-V and Germanium multi-gate field-effect transistors
بواسطة: Chin, H.-C., وآخرون
منشور في: (2014)