Fabrication of poly-Si TFT with silicided Schottky barrier source/drain, high-κ gate dielectric and metal gate
10.1016/j.sse.2005.11.001
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82338 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |