Effects of AlAs interfacial layer on material and optical properties of GaAsGe (100) epitaxy
10.1063/1.2908042
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Chia, C.K., Dong, J.R., Chi, D.Z., Sridhara, A., Wong, A.S.W., Suryana, M., Dalapati, G.K., Chua, S.J., Lee, S.J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55770 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Interfacial characteristics and band alignments for Zr O2 gate dielectric on Si passivated p-GaAs substrate
بواسطة: Dalapati, G.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Sputter-deposited ZrO2 gate dielectric on high mobility epitaxial-GaAs/Ge channel material for advanced CMOS applications
بواسطة: Dalapati, G.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study on interfacial properties of InGaAs and GaAs integrated with chemical-vapor-deposited high- k gate dielectrics using x-ray photoelectron spectroscopy
بواسطة: Oh, H.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
GaAs heteroepitaxy on SiGe-on-insulator using ge condensation and migration enhanced epitaxy
بواسطة: Oh, H.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
The interfacial reaction of Ni with (111)Ge, (100)Si0.75Ge 0.25 and (100)Si at 400 °C
بواسطة: Jin, L.J., وآخرون
منشور في: (2014)