Interfacial characteristics and band alignments for Zr O2 gate dielectric on Si passivated p-GaAs substrate

• المؤلفون الرئيسيون: Dalapati, G.K., Sridhara, A., Wong, A.S.W., Chia, C.K., Lee, S.J., Chi, D.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/56370

10.1063/1.2822422