Sputter-deposited ZrO2 gate dielectric on high mobility epitaxial-GaAs/Ge channel material for advanced CMOS applications

10.4028/www.scientific.net/KEM.443.504

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Dalapati, G.K., Kumar, A., Wong, A.S.W., Kumar, M.K., Chia, C.K., Ho, G.W., Chi, D.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الموضوعات:	Epi-GaAs Frequency dispersion GaAs-MOS capacitor High-k III-V semiconductor
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84217
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة