Thermal stability study of Si cap/ultrathin Ge/Si and strained Si/Si1-xGex/Si nMOSFETs with HfO2gate dielectric

• المؤلفون الرئيسيون: Yeo, C.C., Cho, B.J., Lee, M.H., Liu, C.W., Choi, K.J., Lee, T.W.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2011
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/25762
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1088/0268-1242/21/5/017