Thermal stability study of Si cap/ultrathin Ge/Si and strained Si/Si1-xGex/Si nMOSFETs with HfO2gate dielectric
10.1088/0268-1242/21/5/017
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| 格式: | Article |
| 出版: |
2011
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| 在線閱讀: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/25762 |
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| 機構: | National University of Singapore |