Thermal stability study of Si cap/ultrathin Ge/Si and strained Si/Si1-xGex/Si nMOSFETs with HfO2gate dielectric

Thermal stability study of Si cap/ultrathin Ge/Si and strained Si/Si1-xGex/Si nMOSFETs with HfO2gate dielectric

10.1088/0268-1242/21/5/017

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Yeo, C.C., Cho, B.J., Lee, M.H., Liu, C.W., Choi, K.J., Lee, T.W.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2011
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/25762
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Monte Carlo simulations of strained Si/SiGe-OI nMOSFETs
بواسطة: A. Yangthaisong, وآخرون
منشور في: (2018)

Rapid thermal oxidation of Ge-rich Si1-xGex heterolayers
بواسطة: Bera, M.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Thermal stability of strained Si/Si1-xGex heterostructures for advanced microelectronics devices
بواسطة: Wong, L.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Enhanced boron activation in strained-Si/Si1-xGex substrate using laser annealing
بواسطة: Ong, K.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Doping dependence of intersubband transitions in Si1-xGex Si multiple quantum wells
بواسطة: Karunasiri, G., وآخرون
منشور في: (2014)

Textured Ni(Pt) germanosilicide formation on a condensed Si1-xGex/Si substrate
بواسطة: Setiawan, Y., وآخرون
منشور في: (2012)

Interface properties and reliability of ultrathin oxynitride films grown on strained Si1-xGex substrates
بواسطة: Samanta, S.K., وآخرون
منشور في: (2014)

High performance pMOSFETs using Si/Si1-xGex/Si quantum wells with high-k/ metal gate stacks and additive uniaxial strain for 22 nm technology node
بواسطة: Suthram, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Laser-induced melt-mediated Ni(Pt) germanosilicide formation on condensed Si1-xGex/Si substrates
بواسطة: Setiawan, Y., وآخرون
منشور في: (2012)

SiGe on insulator MOSFET integrated with Schottky source/drain and HfO 2/TaN gate stack
بواسطة: Gao, F., وآخرون
منشور في: (2014)

Effects of Ti/Co and Co/Ti systems on the germanosilicidation of poly-Si capped poly-Si1−xGex substrate
بواسطة: Li, Y. S., وآخرون
منشور في: (2013)

Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing
بواسطة: Setiawan, Y., وآخرون
منشور في: (2012)

Ge diffusion and solid phase epitaxy growth to form Si 1 - XGex/Si and Ge on insulator structure
بواسطة: Gao, F., وآخرون
منشور في: (2014)

Electrical transport of bottom-up grown single-crystal Si 1-xGex nanowire
بواسطة: Yang, W.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Laser-induced Ni(Pt) germanosilicide formation through a self-limiting melting phenomenon on Si1-xGex/Si heterostructure
بواسطة: Setiawan, Y., وآخرون
منشور في: (2012)

Theoretical study of elementary processes in silicon-germanium epitaxial growth on SI(100) and SI1-xGEx (100) surfaces
بواسطة: LI QIANG
منشور في: (2010)

Electrical characterization of bias temperature instability in MOSFETs with the ultrathin SiON and la-doped HfSiO gate dielectrics
بواسطة: Du, Guoan.
منشور في: (2013)

A TaN-HfO2-Ge pMOSFET with novel SiH4 surface passivation
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Electron mobility enhancement using ultrathin pure Ge on Si substrate
بواسطة: Yeo, C.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Effective suppression of fermi level pinning in poly-Si/HfO2 gate stack by using poly-SiGe gate
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterization of thick graded Si1-xGex/Si layers grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition
بواسطة: Seng, H.L., وآخرون
منشور في: (2014)

Yttrium- and terbium-based interlayer on SiO2 and HfO2 gate dielectrics for work function modulation of nickel fully silicided gate in nMOSFET
بواسطة: Lim, A.E.-J., وآخرون
منشور في: (2014)

Nanoscale strained-Si/SiGe and double-gate MOSFET modeling
بواسطة: Karthik Chandrasekaran
منشور في: (2010)

Fully Silicided NiSi and Germanided NiGe Dual Gates on SiO 2/Si and Al 2O 3/Ge-On-Insulator MOSFETs
بواسطة: Huang, C.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Dopant segregated Pt and Ni germanosilicide Schottky S/D p-MOSFETs with strained Si-SiGe channel
بواسطة: Zang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Rapid thermal oxidation of radio frequency sputtered polycrystalline Si1-xGex thin films
بواسطة: Natarajan, A., وآخرون
منشور في: (2014)

Omega-gate p-MOSFET with nanowirelike SiGe/Si core/shell channel
بواسطة: Jiang, Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Metal gate/High-K dielectric stack on Si cap/ultra-thin pure Ge epi/Si substrate
بواسطة: Yeo, C.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Si-nanowire TAHOS TaN/AI2O3/HfO2/SiO 2/Si nonvolatile memory cell
بواسطة: Fu, J., وآخرون
منشور في: (2014)

Synthesis and transistor performances of high quality single crystalline vapor-liquid-solid grown Si1-xGex nanowire
بواسطة: Whang, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

MIM capacitors with HfO2 and HfAlOx for Si RF and analog applications
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

CMOS compatible Ge/Si core/shell nanowire gate-all-around pMOSFET integrated with HfO2/TaN gate stack
بواسطة: Peng, J.W., وآخرون
منشور في: (2014)

Low temperature metal-induced lateral crystallization of Si 1-xGex using silicide/germanide-forming-metals
بواسطة: Phung, T.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Effects of thermal annealing on the electrical properties of tetraethylorthosilicate-based oxynitride films deposited on strained-Si1-xGex
بواسطة: Samanta, S.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Strained Multiple - Gate Transistors With Si/SiC and Si/SiGe Heterojunctions
بواسطة: LIOW TSUNG-YANG
منشور في: (2011)

MODELING OF TUNELLING CURRENT IN ANISOTROPIC Si/Si1-x Gex/Si HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS VERIFICATION
بواسطة: HASANAH (NIM 30203005), LILIK

Characteristics of self-aligned gate-first Ge p- and n-channel MOSFETs using CVD HfO2 gate dielectric and Si surface passivation
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Fully Silicided NiSi and Germanided NiGe Dual Gates on SiO 2 n- and p-MOSFETs
بواسطة: Yu, D.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Direct tunneling stress-induced leakage current in ultrathin HfO 2SiO2 gate dielectric stacks
بواسطة: Samanta, P., وآخرون
منشور في: (2014)

Fabrication of high Ge content SiGe layer on Si by Ge condensation technique
بواسطة: Balakumar, S., وآخرون
منشور في: (2014)