การจำลองโครงสร้างภายใต้ภาวะความดันสูงของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์และสารประกอบสามธาตุ IB-III-VI₂
73 pages
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | ทวีสิน ฤกษ์ขจรนามกุล |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ธิติ บวรรัตนารักษ์ |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | Thai |
منشور في: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:34748 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Chulalongkorn University |
اللغة: | Thai |
مواد مشابهة
-
การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
بواسطة: ทวี ดีจะมาลา
منشور في: (2010) -
การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
بواسطة: ทวี ดีจะมาลา
منشور في: (2000) -
การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์
بواسطة: ชาญวิทย์ จิตยุทธการ
منشور في: (1995) -
QUANTUM EFFICIENCY MEASUREMENTS OF CuIn1-xGaxSe2 SOLAR CELLS
بواسطة: Supathat Sukaiem
منشور في: (2014) -
โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิผลแบบหนึ่งมิติของอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตโมเลกุล
بواسطة: นิธิเดช ธัชศฤงคารสกุล
منشور في: (2011)