อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีต่อโครงสร้างขนาดนาโนของแกลเลียมแอนติโมไนด์

• Main Author: กมลชนก ขอกลาง
• Other Authors: สมชัย รัตนธรรมพันธ์
• Format: Theses and Dissertations
• Language: Thai
• Published: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย 2014
• Subjects: แกลเลียมอาร์เซไนด์; อินเดียมอาร์เซไนด์; โครงสร้างนาโน; วัสดุโครงสร้างนาโน; Gallium arsenide; Indium arsenide; Nanostructures; Nanostructured materials
• Online Access: https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:42471
• Institution: Chulalongkorn University

In this thesis, we report on the growth, structural and optical properties of GaSb nanostructures with InGaAs insertion layers. In this work, type-II GaSb nanostructures are epitaxially grown on (100) GaAs substrates by self-assembled growth using an MBE equipped with Sb cracker cell. Prior to the g...