การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
Single crystals of the Culn1x Gax Se2 semiconducting compound were grown from the melt by directional freezing method, using the horizontal Bridgman technique, where X is approximately 0.1 and 0.2. The top free surfaces of all obtained crystals are normally the (112) plane. From EDS analysis of CIGS...
Saved in:
Main Author: | |
---|---|
Other Authors: | |
Format: | Theses and Dissertations |
Language: | Thai |
Published: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
2000
|
Subjects: | |
Online Access: | https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:57762 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Institution: | Chulalongkorn University |
Language: | Thai |