การประดิษฐ์โครงสร้างวงแหวนนาโนของแกลเลียมฟอสไฟด์บนแกลเลียมอาร์เซไนด์ (100) ที่ปลูกด้วยวิธีดรอปเล็ทอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
GaP nanorings have been fabricated by droplet epitaxy technique using solid source molecular beam epitaxy (MBE). Ga droplet forming conditions have been varied in order to investigate the effect of substrate temperature during Ga deposition (250-350℃) and Ga amount (2.4-5.6 ML) on GaP nanorings. Inc...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | Thai |
| منشور في: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
2011
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:43406 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Chulalongkorn University |
| اللغة: | Thai |