Hot carrier degradation study in PMOSFET using gated-diode drain current and charge pumping measurements

IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, Proceedings, ICSE

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Goh, Y.H., Ling, C.H.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72676
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة