Hot carrier degradation study in PMOSFET using gated-diode drain current and charge pumping measurements
IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, Proceedings, ICSE
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Goh, Y.H., Ling, C.H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72676 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Close correspondence between forward gated-diode and charge pumping currents observed in hot-carrier stressed PMOSFET's
بواسطة: Ling, C.H.
منشور في: (2014) -
Correspondence between gated-diode drain current and charge pumping current in hot-carrier stressed n- and p-MOSFET's
بواسطة: Goh, Y.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Measurement and simulation of hot carrier degradation in PMOSFET by gate capacitance
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study of hot carrier degradation in NMOSFET's by gate capacitance and charge pumping current
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
HOT-CARRIER DEGRADATION STUDY IN MOSFET'S BY CHARGE PUMPING, GATED-DIODE AND FLOATING GATE TECHNIQUES
بواسطة: GOH YONG HAN
منشور في: (2020)