A comparison of hot-carrier degradation in tungsten polycide gate and poly gate p-MOSFETs

10.1109/16.662798

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書目詳細資料
Main Authors: Ang, D.S., Ling, C.H.
其他作者: ELECTRICAL ENGINEERING
格式: Article
出版: 2014
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/53991
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