Experimental and simulation study of the flash lamp annealing for boron ultra-shallow junction formation and its stability
10.1016/j.mseb.2008.10.013
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Mok, K.R.C., Yeong, S.H., Colombeau, B., Benistant, F., Poon, C.H., Chan, L., Srinivasan, M.P. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | CHEMICAL & BIOMOLECULAR ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/63888 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
An extensive study on the boron junctions formed by optimized pre-spike∕multiple-pulse flash lamp annealing schemes : junction formation, stability and leakage
بواسطة: Tan, Dexter Xue Ming, وآخرون
منشور في: (2019) -
Defect Engineering in the formation of Ultra-shallow junctions for advanced nano-metal-oxide-semiconductor technology
بواسطة: YEONG SAI HOOI
منشور في: (2011) -
Formation of Ultra-Shallow Junctions in Silicon- Germanium by Pulsed Laser Annealing
بواسطة: ABIDHA BEGUM
منشور في: (2010) -
Application of excimer laser annealing in the formation of ultra-shallow p+/n junctions
بواسطة: Chong, Y.F., وآخرون
منشور في: (2014) -
Pulsed laser annealing of ultra-shallow junctions in silicon-germanium
بواسطة: Tan, L.S., وآخرون
منشور في: (2014)