Study and characterization of low dielectric constant materials for interlayer dielectric applications

The properties of low-k SiCOH film deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using trimethylsilane are reported here. The deposition process was performed at different temperatures form 200 to 400C. the influence of deposition temperature on the films were characterized using Fourier tr...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Narayanan, Babu
مؤلفون آخرون: Prasad, Krishnamachar
التنسيق: Theses and Dissertations
منشور في: 2008
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/4535
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!