An EIS investigation into the influence of HF concentration on porous silicon formation
10.1149/2.089403jes
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Liu, D.Q., Blackwood, D.J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/86186 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
The role of the flat-band potential in porous silicon formation
بواسطة: Liu, D.Q., وآخرون
منشور في: (2014) -
Potentiostatic formation of porous silicon in dilute HF: Evidence that nanocrystal size is not restricted by quantum confinement
بواسطة: Wijesinghe, T.L.S.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Porous silicon: Influence of etching temperature on microstructure and luminescence
بواسطة: Blackwood, D.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Electrochemical Investigation into porous silicon formation
بواسطة: LIU DONGQING
منشور في: (2014) -
Mechanism and dissolution rates of anodic oxide films on silicon
بواسطة: Liu, D.Q., وآخرون
منشور في: (2014)