Characterisation of Ge nanocrystals in co-sputtered Ge+SiO2 system using raman spectroscopy, RBS and TEM

10.1016/S1359-6462(01)00743-6

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Ho, Y.W., Ng, V., Choi, W.K., Ng, S.P., Osipowicz, T., Seng, H.L., Tjui, W.W., Li, K.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Germanium Nanocrystal Raman spectroscopy Rutherford backscattering Transmission electron microscopy
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82035
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة