Steep retrograde indium channel profiling for high performance nMOSFETs device fabrication

• المؤلفون الرئيسيون: Ong, S.Y., Chor, E.F., Leung, Y.K., Lee, J., Li, W.S., See, A., Chan, L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Ihdium; Reverse short channel effects; Short channel effects; Steep retrograde channel profile
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/50644

10.1117/12.405423