A comprehensive study of indium implantation-induced damage in deep submicrometer nMOSFET: Device characterization and damage assessment

10.1109/TED.2002.805610

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Liao, H., Ang, D.S., Ling, C.H.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Gate oxide integrity Hot-carrier reliability Indium dopant Interface traps Super-steep retrograde channel
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81854
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة