Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching
ปัจจุบันขนาดของชิ้นส่วนของหัวอ่าน - เขียนมีขนาดเล็กลง ส่งผลให้การกำจัดกากที่พอกตัวจากการกัดกรอ่นด้วยวิธีการเอทชิง เป็นเรื่องสำคัญที่ต้องคำนึงถึงในอุตสาหกรรมการผลิตหัวอ่าน - เขียน ทั้งนี้เป็นผลมาจากการเพิ่มขึ้นของเวลาที่ใช้ในการเอทชิงทำให้การพอกตัวของกากมีมากขึ้น ซึ่งการการทำความสะอาดชิ้นงานโดยใช้สาร...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 其他作者: | |
| 格式: | Theses and Dissertations |
| 語言: | English |
| 出版: |
Chulalongkorn University
2007
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:76314 |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| 機構: | Chulalongkorn University |
| 語言: | English |
| 總結: | ปัจจุบันขนาดของชิ้นส่วนของหัวอ่าน - เขียนมีขนาดเล็กลง ส่งผลให้การกำจัดกากที่พอกตัวจากการกัดกรอ่นด้วยวิธีการเอทชิง เป็นเรื่องสำคัญที่ต้องคำนึงถึงในอุตสาหกรรมการผลิตหัวอ่าน - เขียน ทั้งนี้เป็นผลมาจากการเพิ่มขึ้นของเวลาที่ใช้ในการเอทชิงทำให้การพอกตัวของกากมีมากขึ้น ซึ่งการการทำความสะอาดชิ้นงานโดยใช้สารละลายอัลคาไลน์เบสก็เป็นอีกวิธีหนึ่ง ซึ่งได้เปรียบวิธีการอื่นคือ ประสิทธิภาพในการทำความสะอาด ค่าใช้จ่ายในการดำเนินการต่ำ ใช้สารเคมีที่มีอันตรายน้อย ทำให้การปฏิบัติงานง่ายและปลอดภัย ไม่ต้องทำการทดลองที่อุณหภูมิสูง และเครื่องมือที่มีราคาไม่สูงมากนัก ในงานวิจัยนี้ได้ทำการศึกษาตัวแปรซึ่งก็คือ ความเข้มข้นของสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาด เพื่อหาสภาวะที่เหมาะสมในการทำความสะอาดชิ้นงาน ซึ่งจากผลการทดลองพบว่า ที่ความเข้มข้นของสาระละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์สูง และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาดชิ้นงานนานขึ้นจะให้ความสะอาดที่มากขึ้น แต่ทั้งนี้การเกิดตำหนิที่ชิ้นงานก็เป็นผลข้างเคียงที่อาจเกิดขึ้นด้วย สภาวะที่ดีที่สุดในการทำความสะอาดชิ้นงาน คือ ที่ความเข้มข้นของสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 0.05% และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาด 12 นาที เมื่อเปรียบเทียบผลที่ได้จากสภาวะสำหรับการทำความสะอาดชิ้นงานใหม่ที่ได้จากการทดลองนี้ และที่สภาวะการทำความสะอาดชิ้นงานปัจจุบันคือ ความเข้มข้นของสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 0.02% และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาด 4 นาที พบว่าความสะอาดของชิ้นงานดีขึ้นซึ่งแสดงได้จากภาพถ่ายของเครื่อง SEM และ AFM รวมทั้งผลของการตรวจสอบปริมาณฟลูออไรด์อิออนที่ตกค้างบนชิ้นงานด้วยวิธี Ion Chromatography นอกจานี้ประสิทธิภาพของชิ้นงานทางด้านอิเล็กทรอนิกที่ดีขึ้น และชิ้นงานเสียยังมีปริมาณลดลง |
|---|