Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching

ปัจจุบันขนาดของชิ้นส่วนของหัวอ่าน - เขียนมีขนาดเล็กลง ส่งผลให้การกำจัดกากที่พอกตัวจากการกัดกรอ่นด้วยวิธีการเอทชิง เป็นเรื่องสำคัญที่ต้องคำนึงถึงในอุตสาหกรรมการผลิตหัวอ่าน - เขียน ทั้งนี้เป็นผลมาจากการเพิ่มขึ้นของเวลาที่ใช้ในการเอทชิงทำให้การพอกตัวของกากมีมากขึ้น ซึ่งการการทำความสะอาดชิ้นงานโดยใช้สาร...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	Nattaporn Khamnualthong
Other Authors:	Tawatchai Charinpanitkul
Format:	Theses and Dissertations
Language:	English
Published:	Chulalongkorn University 2007
Subjects:	Sodium hydroxide Electronics โซเดียมไฮดรอกไซด์ อิเล็กทรอนิกส์
Online Access:	https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:76314
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Institution:	Chulalongkorn University
Language:	English

id	76314
record_format	dspace
spelling	763142024-03-27T01:04:52Z https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:76314 ©Chulalongkorn University Thesis 10.58837/CHULA.THE.2007.2042 eng Nattaporn Khamnualthong Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching การปรับปรุงวิธีการกำจัดกากที่พอกตัวออกจากหัวอ่านของฮาร์ดดิสก์ ที่กัดกร่อนโดยวิธีเอคทีฟอิออนเอทชิง 2007 2007 Chulalongkorn University ปัจจุบันขนาดของชิ้นส่วนของหัวอ่าน - เขียนมีขนาดเล็กลง ส่งผลให้การกำจัดกากที่พอกตัวจากการกัดกรอ่นด้วยวิธีการเอทชิง เป็นเรื่องสำคัญที่ต้องคำนึงถึงในอุตสาหกรรมการผลิตหัวอ่าน - เขียน ทั้งนี้เป็นผลมาจากการเพิ่มขึ้นของเวลาที่ใช้ในการเอทชิงทำให้การพอกตัวของกากมีมากขึ้น ซึ่งการการทำความสะอาดชิ้นงานโดยใช้สารละลายอัลคาไลน์เบสก็เป็นอีกวิธีหนึ่ง ซึ่งได้เปรียบวิธีการอื่นคือ ประสิทธิภาพในการทำความสะอาด ค่าใช้จ่ายในการดำเนินการต่ำ ใช้สารเคมีที่มีอันตรายน้อย ทำให้การปฏิบัติงานง่ายและปลอดภัย ไม่ต้องทำการทดลองที่อุณหภูมิสูง และเครื่องมือที่มีราคาไม่สูงมากนัก ในงานวิจัยนี้ได้ทำการศึกษาตัวแปรซึ่งก็คือ ความเข้มข้นของสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาด เพื่อหาสภาวะที่เหมาะสมในการทำความสะอาดชิ้นงาน ซึ่งจากผลการทดลองพบว่า ที่ความเข้มข้นของสาระละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์สูง และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาดชิ้นงานนานขึ้นจะให้ความสะอาดที่มากขึ้น แต่ทั้งนี้การเกิดตำหนิที่ชิ้นงานก็เป็นผลข้างเคียงที่อาจเกิดขึ้นด้วย สภาวะที่ดีที่สุดในการทำความสะอาดชิ้นงาน คือ ที่ความเข้มข้นของสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 0.05% และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาด 12 นาที เมื่อเปรียบเทียบผลที่ได้จากสภาวะสำหรับการทำความสะอาดชิ้นงานใหม่ที่ได้จากการทดลองนี้ และที่สภาวะการทำความสะอาดชิ้นงานปัจจุบันคือ ความเข้มข้นของสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 0.02% และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาด 4 นาที พบว่าความสะอาดของชิ้นงานดีขึ้นซึ่งแสดงได้จากภาพถ่ายของเครื่อง SEM และ AFM รวมทั้งผลของการตรวจสอบปริมาณฟลูออไรด์อิออนที่ตกค้างบนชิ้นงานด้วยวิธี Ion Chromatography นอกจานี้ประสิทธิภาพของชิ้นงานทางด้านอิเล็กทรอนิกที่ดีขึ้น และชิ้นงานเสียยังมีปริมาณลดลง As the feature size of read-write head devices becomes smaller, the removal of the post-etch residue, redeposition, at etched sidewall becomes a critical issue in the fabrication of read-write head fabrication due to the significant increase in etching time which causes the increase in redeposition formation. However, cleaning with alkaline base solution, sodium hydroxide, is one of method due to its advantages of high cleaning efficiency, low operation cost, easiness and safety to handle, soft chemistry, and requiring no special or expensive equipment. In this research, the effect of sodium hydroxide concentration and the scrubbing time are investigated. For the experimental results, it could be clearly that the cleanliness of etched sidewall is dependent upon these parameters. With high sodium hydroxide concentration and long scrubbing time give more cleaning efficiency. In other hand, pitting defect can be created. The best cleaning condition which provides best cleanliness is 0.05% sodium hydroxide and scrubbing time of 12 minutes. When compared with the outcome of new cleaning condition and current condition, 0.02% sodium hydroxide and scrubbing time of 4 minutes should result in the best in sidewall cleanliness which are confirmed by SEM and AFM analyses and fluoride ions measurement by Ion Chromatography. Moreover, the better electrical performance and failure rate due to cleanliness improvement are also obtained. 88 pages Sodium hydroxide Electronics โซเดียมไฮดรอกไซด์ อิเล็กทรอนิกส์ Tawatchai Charinpanitkul Krisda Siangchaew https://digiverse.chula.ac.th/digital/file_upload/biblio/cover/76314.jpg
institution	Chulalongkorn University
building	Chulalongkorn University Library
continent	Asia
country	Thailand Thailand
content_provider	Chulalongkorn University Library
collection	Chulalongkorn University Intellectual Repository
language	English
topic	Sodium hydroxide Electronics โซเดียมไฮดรอกไซด์ อิเล็กทรอนิกส์
spellingShingle	Sodium hydroxide Electronics โซเดียมไฮดรอกไซด์ อิเล็กทรอนิกส์ Nattaporn Khamnualthong Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching
description	ปัจจุบันขนาดของชิ้นส่วนของหัวอ่าน - เขียนมีขนาดเล็กลง ส่งผลให้การกำจัดกากที่พอกตัวจากการกัดกรอ่นด้วยวิธีการเอทชิง เป็นเรื่องสำคัญที่ต้องคำนึงถึงในอุตสาหกรรมการผลิตหัวอ่าน - เขียน ทั้งนี้เป็นผลมาจากการเพิ่มขึ้นของเวลาที่ใช้ในการเอทชิงทำให้การพอกตัวของกากมีมากขึ้น ซึ่งการการทำความสะอาดชิ้นงานโดยใช้สารละลายอัลคาไลน์เบสก็เป็นอีกวิธีหนึ่ง ซึ่งได้เปรียบวิธีการอื่นคือ ประสิทธิภาพในการทำความสะอาด ค่าใช้จ่ายในการดำเนินการต่ำ ใช้สารเคมีที่มีอันตรายน้อย ทำให้การปฏิบัติงานง่ายและปลอดภัย ไม่ต้องทำการทดลองที่อุณหภูมิสูง และเครื่องมือที่มีราคาไม่สูงมากนัก ในงานวิจัยนี้ได้ทำการศึกษาตัวแปรซึ่งก็คือ ความเข้มข้นของสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาด เพื่อหาสภาวะที่เหมาะสมในการทำความสะอาดชิ้นงาน ซึ่งจากผลการทดลองพบว่า ที่ความเข้มข้นของสาระละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์สูง และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาดชิ้นงานนานขึ้นจะให้ความสะอาดที่มากขึ้น แต่ทั้งนี้การเกิดตำหนิที่ชิ้นงานก็เป็นผลข้างเคียงที่อาจเกิดขึ้นด้วย สภาวะที่ดีที่สุดในการทำความสะอาดชิ้นงาน คือ ที่ความเข้มข้นของสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 0.05% และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาด 12 นาที เมื่อเปรียบเทียบผลที่ได้จากสภาวะสำหรับการทำความสะอาดชิ้นงานใหม่ที่ได้จากการทดลองนี้ และที่สภาวะการทำความสะอาดชิ้นงานปัจจุบันคือ ความเข้มข้นของสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 0.02% และเวลาที่ใช้ในการทำความสะอาด 4 นาที พบว่าความสะอาดของชิ้นงานดีขึ้นซึ่งแสดงได้จากภาพถ่ายของเครื่อง SEM และ AFM รวมทั้งผลของการตรวจสอบปริมาณฟลูออไรด์อิออนที่ตกค้างบนชิ้นงานด้วยวิธี Ion Chromatography นอกจานี้ประสิทธิภาพของชิ้นงานทางด้านอิเล็กทรอนิกที่ดีขึ้น และชิ้นงานเสียยังมีปริมาณลดลง
author2	Tawatchai Charinpanitkul
author_facet	Tawatchai Charinpanitkul Nattaporn Khamnualthong
format	Theses and Dissertations
author	Nattaporn Khamnualthong
author_sort	Nattaporn Khamnualthong
title	Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching
title_short	Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching
title_full	Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching
title_fullStr	Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching
title_full_unstemmed	Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching
title_sort	improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching
publisher	Chulalongkorn University
publishDate	2007
url	https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:76314
_version_	1831164359217250304

Improvement of redeposition removal from hard disk head etched by reactive ion etching

Similar Items