การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์
CuInSe2 thin films on glass substrates were prepared by two similar methods. The first method involved evaporation of CuInSe2 under high vacuum without substrate heating, followed by annealing under Se vapor in an evacuated or argon-filled stain less chamber at different temperatures. The second met...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | ชาญวิทย์ จิตยุทธการ |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ขจรยศ อยู่ดี |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | Thai |
منشور في: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
1995
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:63014 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
بواسطة: ทวี ดีจะมาลา
منشور في: (2010) -
การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
بواسطة: ทวี ดีจะมาลา
منشور في: (2000) -
ผลของโปรไฟล์อุณหภูมิต่อองค์ประกอบและโครงสร้างผลึกของฟิล์มบาง Cu(In, Ga)Se2
بواسطة: จามรี อมรโกศลพันธ์
منشور في: (2006) -
ผลของโปรไฟล์อุณหภูมิต่อองค์ประกอบและโครงสร้างผลึกของฟิล์มบาง Cu(In, Ga)Se2
بواسطة: จามรี อมรโกศลพันธ์
منشور في: (2001) -
การศึกษาคุณสมบัติทางแสงและไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำอินทรีย์แบบฟิล์มบางที่ปลูกโดยวิธีแลงเมียร์-บลอดเจตต์
بواسطة: ธรณินทร์ บุญบำรุง
منشور في: (2007)