การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์
CuInSe2 thin films on glass substrates were prepared by two similar methods. The first method involved evaporation of CuInSe2 under high vacuum without substrate heating, followed by annealing under Se vapor in an evacuated or argon-filled stain less chamber at different temperatures. The second met...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | Thai |
| منشور في: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
1995
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:63014 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Chulalongkorn University |
| اللغة: | Thai |