Direct writing of channels for microfluidics in silica by MeV ion beam lithography

The lithographic exposure characteristic of amorphous silica (SiO 2) was investigated for 6.8 MeV 16O3+ ions. A programmable proximity aperture lithography (PPAL) technique was used for the ion beam exposure. After exposure, the exposed pattern was developed by selective etching in 4% v/v HF. Here,...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Nitipon Puttaraksa, Mari Napari, Orapin Chienthavorn, Rattanaporn Norarat, Timo Sajavaara, Mikko Laitinen, Somsorn Singkarat, Harry J. Whitlow
التنسيق: Book Series
منشور في: 2018
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=79960058706&origin=inward
http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/49961
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!