Effects of prolonged annealing on NiSi at low temperature (500°C)
Journal of Electronic Materials
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Anisur, M.R., Osipowicz, T., Chi, D.Z., Wang, W.D. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96376 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Annealing effects on ZnO/NiSi contact
بواسطة: Wei, R., وآخرون
منشور في: (2014) -
Alloy effects on nickel silicides formation and the investigation of NiSi as electrode material of ZnO devices
بواسطة: REN WEI
منشور في: (2010) -
Fully Silicided NiSi and Germanided NiGe Dual Gates on SiO 2 n- and p-MOSFETs
بواسطة: Yu, D.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Nickel silicide formation on Si(100) and poly-Si with a presilicide N2 + implantation
بواسطة: Lee, P.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
New salicidation technology with Ni(Pt) alloy for MOSFETs
بواسطة: Lee, P.S., وآخرون
منشور في: (2014)