Characterization of AlInGaN quaternary epilayers grown by metal organic chemical vapor deposition

10.1016/j.jcrysgro.2004.04.082

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Liu, W., Soh, C.B., Chen, P., Chua, S.J.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الموضوعات:	A1. Atomic force microscopy A1. Composition pulling effect A1. Photoluminescence A1. V-pits A1. X-ray diffraction A3. Metalorganic chemical vapor deposition B1. AlInGaN quaternary
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83539
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة