Characterization of AlInGaN quaternary epilayers grown by metal organic chemical vapor deposition

Characterization of AlInGaN quaternary epilayers grown by metal organic chemical vapor deposition

10.1016/j.jcrysgro.2004.04.082

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Liu, W., Soh, C.B., Chen, P., Chua, S.J.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الموضوعات:
A1. Atomic force microscopy
A1. Composition pulling effect
A1. Photoluminescence
A1. V-pits
A1. X-ray diffraction
A3. Metalorganic chemical vapor deposition
B1. AlInGaN quaternary
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83539
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة