N-channel InGaAs field-effect transistors formed on germanium-on-insulator substrates

• المؤلفون الرئيسيون: Ivana, Subramanian, S., Owen, M.H.S., Tan, K.H., Loke, W.K., Wicaksono, S., Yoon, S.F., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82748

10.1143/APEX.5.116502