Light Emission Near 1.3 μm Using ITO-Al 2O 3-Si 0.3Ge 0.7-Si Tunnel Diodes

• المؤلفون الرئيسيون: Lin, C.Y., Chin, A., Hou, Y.T., Li, M.F., McAlister, S.P., Kwong, D.L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Al 2O 3; Electroluminescence; Light; Light-emitting device (LED); SiGe
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82622
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/LPT.2003.818922