Fabrication of single-walled carbon nanotube Schottky diode with gold contacts modified by asymmetric thiolate molecules
10.1016/j.carbon.2009.12.003
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Huang, L., Chor, E.F., Wu, Y., Guo, Z. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82340 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Graphene nanoribbon schottky diodes using asymmetric contacts
بواسطة: Kargar, A., وآخرون
منشور في: (2014) -
Rhodium-based Schottky contacts on n-doped gallium nitride
بواسطة: Tian, F., وآخرون
منشور في: (2014) -
Fabrication and characterisation of Silicon-Germanium Schottky diode
بواسطة: Tan, Oscar Aik Poh.
منشور في: (2008) -
Fabrication and characterization of silicon-germanium schottky diode
بواسطة: Chakravarthi Nanda Kumar
منشور في: (2010) -
Doping-free fabrication of n-type random network single-walled carbon nanotube field effect transistor with yttrium contacts
بواسطة: HUANG LEIHUA, وآخرون
منشور في: (2014)