The role of electron traps on the post-stress interface trap generation in hot-carrier stressed p-MOSFET's

10.1109/16.753708

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書目詳細資料
Main Authors: Ang, D.S., Ling, C.H.
其他作者: ELECTRICAL ENGINEERING
格式: Article
出版: 2014
主題:
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81259
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