Post-stress dual-trap interaction in hot-carrier stressed submicrometer n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81001 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |