Understanding nitrogen-induced effects on the performance of ultra low-k dielectric systems through ab initio simulations

• المؤلفون الرئيسيون: Dai, L., Tan, V.B.C., Yang, S.-W., Wu, P., Chen, X.-T.
• مؤلفون آخرون: MECHANICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: ab initio; Diffusion barrier; Interface; Low-k; Nitrogen; Pore-sealing
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/61644

10.1016/j.susc.2007.06.025