Impact of deposition parameters on the material quality of SPC poly-Si thin films using high-rate PECVD of a-Si:H

10.1051/epjpv/2015004

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Kumar, A, Widenborg, P.I, Dalapati, G.K, Subramanian, G.S, Aberle, A.G
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2020
الموضوعات:	Deposition rates Flow of gases Metallic films Polycrystalline materials Polysilicon Silicon wafers Substrates Crystal qualities Deposition Parameters Glass substrates High deposition rates Material quality Poly-Si thin film Single-crystalline UV-VIS-NIR spectrophotometers Thin films
الوصول للمادة أونلاين:	https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/176153
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة