Transmission electron microscopy observation of CMOS devices of titanium self-aligned silicide technology with nitrogen (N+) implantation process

• المؤلفون الرئيسيون: Jia, Y.M., Lim, C.W., Bourdillon, A.J., Boothroyd, C.
• مؤلفون آخرون: MATERIALS SCIENCE
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/107248
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1023/A:1006680617207