Porous silicon: Influence of etching temperature on microstructure and luminescence
10.1016/S0218-625X(01)00118-X
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Blackwood, D.J., Zhang, Y. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | MATERIALS SCIENCE |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/107174 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
The effect of etching temperature on the photoluminescence emitted from, and the morphology of, p-type porous silicon
بواسطة: Blackwood, D.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
An EIS investigation into the influence of HF concentration on porous silicon formation
بواسطة: Liu, D.Q., وآخرون
منشور في: (2014) -
Three-dimensional microstructures in silicon via the combination of light-ion beam writing and electrochemical etching
بواسطة: Blackwood, D.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of nano-porous silicon fabricated by electrochemical etching
بواسطة: Ong, June Lay Ting
منشور في: (2011) -
White electroluminescence from ITO/porous silicon junctions
بواسطة: Xie, Z., وآخرون
منشور في: (2014)