Investigation of the optical properties of InGaAsN∕GaAs∕GaAsP multiple-quantum-well laser with 8-band and 10-band k[middle dot]p model
We have used both 10-band and 8-band k· p Hamiltonian to investigate the maximum TE-mode optical gain for the triple quantum wells with In0.35Ga0.65As0.985N0.015 as the active layers and barriers comprised of two unstrained GaAs layers and one tensile-strained GaAs0.82P0.18 layer. The results were c...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ng, S. T., Fan, Weijun, Yoon, Soon Fatt, Wang, S. Z., Qu, Yi, Liu, C. Y., Ma, S. G., Yuan, Shu |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Materials Science & Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/100758 http://hdl.handle.net/10220/17961 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2013) -
Intersubband transitions in InGaAsN/GaAs quantum wells
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2013) -
Study of interdiffusion in GaAsSbN∕GaAs quantum well structure by ten-band k⋅p method
بواسطة: Dang, Y. X., وآخرون
منشور في: (2013) -
Band offsets at GaInP/AlGaInP(001) heterostructures lattice matched to GaAs
بواسطة: Zhang, X. H., وآخرون
منشور في: (2013) -
Band structures and optical gain of InGaAsN/GaAsN strained quantum wells under electric field
بواسطة: Fan, Weijun
منشور في: (2013)