การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
Single crystals of the Culn1x Gax Se2 semiconducting compound were grown from the melt by directional freezing method, using the horizontal Bridgman technique, where X is approximately 0.1 and 0.2. The top free surfaces of all obtained crystals are normally the (112) plane. From EDS analysis of CIGS...
Saved in:
主要作者: | ทวี ดีจะมาลา |
---|---|
其他作者: | สมพงศ์ ฉัตราภรณ์ |
格式: | Theses and Dissertations |
語言: | Thai |
出版: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
2000
|
主題: | |
在線閱讀: | https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:57762 |
標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
相似書籍
-
การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
由: ทวี ดีจะมาลา
出版: (2010) -
การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์
由: ชาญวิทย์ จิตยุทธการ
出版: (1995) -
การจำลองโครงสร้างภายใต้ภาวะความดันสูงของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์และสารประกอบสามธาตุ IB-III-VI₂
由: ทวีสิน ฤกษ์ขจรนามกุล
出版: (2011) -
โครงการวิจัยการศึกษาโฟโตลูมิเนสเซนต์ของสารประกอบกึ่งตัวนำ แกลเลี่ยมอาร์เซนายด์
由: สมศักดิ์ ปัญญาแก้ว, et al.
出版: (2008) -
โครงการวิจัยการศึกษาโฟโตลูมิเนสเซนต์ของสารประกอบกึ่งตัวนำ แกลเลี่ยมอาร์เซนายด์
由: สมศักดิ์ ปัญญาแก้ว, et al.
出版: (1988)