การประดิษฐ์โครงสร้างวงแหวนนาโนของแกลเลียมฟอสไฟด์บนแกลเลียมอาร์เซไนด์ (100) ที่ปลูกด้วยวิธีดรอปเล็ทอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
GaP nanorings have been fabricated by droplet epitaxy technique using solid source molecular beam epitaxy (MBE). Ga droplet forming conditions have been varied in order to investigate the effect of substrate temperature during Ga deposition (250-350℃) and Ga amount (2.4-5.6 ML) on GaP nanorings. Inc...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 其他作者: | |
| 格式: | Theses and Dissertations |
| 語言: | Thai |
| 出版: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
2011
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:43406 |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
成為第一個發表評論!