อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีต่อโครงสร้างขนาดนาโนของแกลเลียมแอนติโมไนด์

• المؤلف الرئيسي: กมลชนก ขอกลาง
• مؤلفون آخرون: สมชัย รัตนธรรมพันธ์
• التنسيق: Theses and Dissertations
• اللغة: Thai
• منشور في: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย 2014
• الموضوعات: แกลเลียมอาร์เซไนด์; อินเดียมอาร์เซไนด์; โครงสร้างนาโน; วัสดุโครงสร้างนาโน; Gallium arsenide; Indium arsenide; Nanostructures; Nanostructured materials
• الوصول للمادة أونلاين: https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:42471

In this thesis, we report on the growth, structural and optical properties of GaSb nanostructures with InGaAs insertion layers. In this work, type-II GaSb nanostructures are epitaxially grown on (100) GaAs substrates by self-assembled growth using an MBE equipped with Sb cracker cell. Prior to the g...