Diffusion barrier properties of ionized metal plasma deposited tantalum nitride thin films between copper and silicon dioxide
10.1023/A:1013088624226
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
2014
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96223 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|