Charge trapping on different cuts of a single-crystalline α-SiO 2
10.1063/1.354778
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Gong, H., Le Gressus, C., Oh, K.H., Ding, X.Z., Ong, C.K., Tan, B.T.G. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/95977 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Dielectric polarization relaxation measurement in α-SiO2 by means of a scanning electron microscope technique
بواسطة: Oh, K.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
A Monte Carlo model for trapped charge distribution in electron-irradiated α-quartz
بواسطة: Oh, K.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of charging on α-quartz facets by a SEM technique
بواسطة: Gong, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
New observation of trapped charge transportation on circularly bound polymethylmethacrylate surface
بواسطة: Gong, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Origin of charge trapping in germanium nanocrystal embedded SiO 2 system: Role of interfacial traps?
بواسطة: Kan, E.W.H., وآخرون
منشور في: (2014)