High resolution TEM and triple-axis XRD investigation into porous silicon formed on highly conducting substrates

• المؤلفون الرئيسيون: Wijesinghe, T.L.S.L., Li, S.Q., Breese, M.B.H., Blackwood, D.J.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Etching; Lattice parameters; Porous silicon; Transmission electron microscopy; Triple-axis X-ray diffraction
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/86399

10.1016/j.electacta.2009.01.045