Silicon-carbon source/drain: Selective epitaxy, process integration, and transistor strain engineering
10.1149/1.2355908
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Conference or Workshop Item |
| منشور في: |
2014
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84181 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |