High performance Ge CMOS with novel InAlP-passivated channels for future sub-10 nm technology node applications

High performance Ge CMOS with novel InAlP-passivated channels for future sub-10 nm technology node applications

10.1109/IEDM.2013.6724700

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Liu, B., Gong, X., Cheng, R., Guo, P., Zhou, Q., Owen, M.H.S., Guo, C., Wang, L., Wang, W., Yang, Y., Yeo, Y.-C., Wan, C.-T., Chen, S.-H., Cheng, C.-C., Lin, Y.-R., Wu, C.-H., Ko, C.-H., Wann, C.H.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83783
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة