Enhanced performance in 50 nm N-MOSFETs with silicon-carbon source/drain regions

• المؤلفون الرئيسيون: Ang, K.W., Chui, K.J., Bliznetsov, V., Du, A., Balasubramanian, N., Li, M.F., Samudra, G., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83700
• المؤسسة: National University of Singapore

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM