Carrier backscattering characteristics of strained N-MOSFET featuring silicon-carbon source/drain regions

• المؤلفون الرئيسيون: Ang, K.-W., Chin, H.-C., Chui, K.-J., Li, M.-F., Samudra, G., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83528
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/ESSDER.2006.307645