Very high-density (23 fF/μm2) RF MIM capacitors using high-κ TaTiO as the dielectric

10.1109/LED.2005.856708

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Chiang, K.C., Lai, C.H., Chin, A., Wang, T.J., Chiu, H.F., Chen, J.-R., McAlister, S.P., Chi, C.C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Capacitor RF metal-insulator-metal (MIM) TaTiO
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83259
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة